ထုတ်ကုန်အသစ်များ |သြဂုတ် ၄၊ ၂၀၂၃
Nick Flaherty မှ
AI ဘက်ထရီများ / ပါဝါထောက်ပံ့မှုများ
Navitas Semiconductor သည် ဒေတာစင်တာများရှိ AI အရှိန်မြှင့်ကတ်များအတွက် GaN-based power supply အတွက် 3.2kW ရည်ညွှန်းဒီဇိုင်းကို တီထွင်ခဲ့သည်။
Navitas မှ CRPS185 3 Titanium Plus ဆာဗာရည်ညွှန်းဒီဇိုင်းသည် AI ဒေတာစင်တာပါဝါ၏ စွမ်းအင်လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းရန်အတွက် ပြင်းထန်သော 80Plus Titanium ထိရောက်မှုလိုအပ်ချက်များကို ကျော်လွန်သွားပါသည်။
Nvidia ၏ DGX GH200 'Grace Hopper' ကဲ့သို့သော စွမ်းအားပြည့် ဆာလောင်နေသည့် AI ပရိုဆက်ဆာများသည် 1,600 W တစ်ခုစီအထိ တောင်းဆိုထားပြီး ကက်ဘိနက်တစ်ခုလျှင် 30-40 kW မှ 100 kW အထိ ပါဝါတစ်ပွဲနှုန်းကို မောင်းနှင်နေသည်။ဤအတောအတွင်း၊ စွမ်းအင်ထိန်းသိမ်းမှုနှင့် ထုတ်လွှတ်မှုလျှော့ချရေးတို့ကို ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာအာရုံစိုက်မှုနှင့်အတူ၊ နောက်ဆုံးဥရောပစည်းမျဉ်းများနှင့်အတူ၊ ဆာဗာပါဝါထောက်ပံ့မှုသည် 80Plus 'Titanium' ထိရောက်မှုသတ်မှတ်ချက်ထက် ကျော်လွန်ရမည်ဖြစ်သည်။
● GaN တစ်ဝက်တံတားကို တစ်ခုတည်းသောပက်ကေ့ချ်အဖြစ် ပေါင်းစပ်ထားသည်။
● တတိယမျိုးဆက် GaN ပါဝါ IC
Navitas ရည်ညွှန်းဒီဇိုင်းများသည် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအချိန်ကို လျှော့ချပေးပြီး GaNFast ပါဝါ IC များကို အသုံးပြု၍ ပိုမိုမြင့်မားသော စွမ်းအင်ထိရောက်မှု၊ ပါဝါသိပ်သည်းမှုနှင့် စနစ်ကုန်ကျစရိတ်တို့ကို ပံ့ပိုးပေးသည်။ဤစနစ်ပလပ်ဖောင်းများတွင် အပြည့်အ၀စမ်းသပ်ထားသော ဟာ့ဒ်ဝဲ၊ ထည့်သွင်းထားသော ဆော့ဖ်ဝဲလ်၊ သရုပ်ဖော်ပုံ၊ ပစ္စည်းဘေလ်၊ အပြင်အဆင်၊ သရုပ်ဖော်မှုနှင့် ဟာ့ဒ်ဝဲစမ်းသပ်မှုရလဒ်များပါရှိသော ဒီဇိုင်းအပေါင်ပစ္စည်း အပြည့်အစုံပါဝင်သည်။
CRPS185 သည် full-bridge LLC ပါရှိသော interleaved CCM totem-pole PFC အပါအဝင် နောက်ဆုံးပတ်လမ်းဒီဇိုင်းများကို အသုံးပြုသည်။အရေးကြီးသော အစိတ်အပိုင်းများသည် သီးခြား GaN ချစ်ပ်များနှင့် ဆက်နွယ်နေသော ထိခိုက်လွယ်မှုနှင့် ကွဲလွဲလွယ်မှုပြဿနာများကို ဖြေရှင်းရန် ကြံ့ခိုင်ပြီး မြန်နှုန်းမြင့် GaN drive ဖြင့် Navitas ၏ 650V GaNFast ပါဝါ IC အသစ်များဖြစ်သည်။
GaNFast ပါဝါ IC များသည် အလွန်နိမ့်သော switching losses များကို ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး transient-voltage capability 800 V အထိ နှင့် low gate charge (Qg)၊ output capacitance (COSS) နှင့် reverse-recovery loss (Qrr) ကဲ့သို့သော အခြားသော မြန်နှုန်းမြင့် အားသာချက်များ )မြန်နှုန်းမြင့်ပြောင်းခြင်းသည် ပါဝါထောက်ပံ့မှုတစ်ခုရှိ passive အစိတ်အပိုင်းများ၏ အရွယ်အစား၊ အလေးချိန်နှင့် ကုန်ကျစရိတ်တို့ကို လျှော့ချပေးသည့်အတွက် GaNFast ပါဝါ IC များသည် LLC-stage စနစ်ပစ္စည်းကုန်ကျစရိတ်၏ 5% နှင့် 3 နှစ်တာကာလအတွင်း လျှပ်စစ်ထောက်ပံ့မှုတစ်ခုလျှင် $64 သက်သာသည်ဟု Navitas မှ ခန့်မှန်းပါသည်။
ဒီဇိုင်းသည် Facebook၊ Intel၊ Google၊ Microsoft၊ နှင့် Dell တို့အပါအဝင် hyperscale Open Compute Project မှသတ်မှတ်ထားသော 'Common Redundant Power Supply' (CRPS) form-factor specification ကို အသုံးပြုထားသည်။
● ဒေတာစင်တာ GaN အတွက် တရုတ်ဒီဇိုင်းစင်တာ
● 2400W CPRS AC-DC ထောက်ပံ့မှု 96% ထိရောက်မှုရှိသည်။
CPRS ကိုအသုံးပြု၍ CRPS185 ပလပ်ဖောင်းသည် 1U (40 mm) x 73.5mm x 185 mm (544 cc), 5.9 W/cc သို့မဟုတ် 100 W/in3 ပါဝါသိပ်သည်းဆနီးပါးဖြင့် 3,200 W အပြည့်ကို ထုတ်ပေးပါသည်။၎င်းသည် အရွယ်အစား 40% လျှော့ချခြင်းနှင့် ညီမျှသော အမွေအနှစ်ဆီလီကွန်ချဉ်းကပ်မှုဖြစ်ပြီး တိုက်တေနီယမ်ထိရောက်မှုစံနှုန်းကို အလွယ်တကူကျော်လွန်ကာ 30% ဝန်တွင် 96.5% ကျော်ရောက်ရှိကာ 96% ကျော် ဝန်အား 20% မှ 60% အထိ ဆန့်သည်။
သမားရိုးကျ 'တိုက်တေနီယမ်' ဖြေရှင်းချက်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက Navitas CRPS185 3,200 W 'Titanium Plus' ဒီဇိုင်းသည် ပုံမှန် 30% ဝန်ဖြင့် လည်ပတ်နေသည့် လျှပ်စစ်ဓာတ်အားသုံးစွဲမှုကို 757 kWh လျှော့ချနိုင်ပြီး ကာဗွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ထုတ်လွှတ်မှု 755 ကီလိုဂရမ်ကို 3 နှစ်တာကာလအတွင်း လျှော့ချနိုင်သည်။ဤလျှော့ချမှုသည် ကျောက်မီးသွေး 303 ကီလိုဂရမ်ကို သိမ်းဆည်းခြင်းနှင့် ညီမျှသည်။၎င်းသည် ဒေတာစင်တာဖောက်သည်များအား ကုန်ကျစရိတ်သက်သာစေပြီး စွမ်းဆောင်ရည်မြှင့်တင်မှုများရရှိစေရန် ကူညီပေးရုံသာမက စွမ်းအင်ထိန်းသိမ်းမှုနှင့် ဓာတ်ငွေ့ထုတ်လွှတ်မှုလျှော့ချရေးတို့၏ သဘာဝပတ်ဝန်းကျင်ဆိုင်ရာ ရည်မှန်းချက်များကိုပါ ပံ့ပိုးပေးပါသည်။
ဒေတာစင်တာဆာဗာများအပြင်၊ ရည်ညွှန်းဒီဇိုင်းကို switch/router power supply, communications နှင့် အခြားသော computing applications များကဲ့သို့သော application များတွင် အသုံးပြုနိုင်သည်။
"ChatGPT ကဲ့သို့သော AI အပလီကေးရှင်းများ၏ ရေပန်းစားမှုသည် အစသာရှိသေးသည်။ဒေတာစင်တာ ထိန်သိမ်းပါဝါသည် 2x-3x တိုးလာသည်နှင့်အမျှ 100 kW အထိ၊ ပိုသေးငယ်သောနေရာများတွင် ပါဝါပိုမိုရရှိရန်မှာ အဓိကဖြစ်သည်” ဟု Navitas China ၏ VP နှင့် GM ဖြစ်သူ Charles Zha မှ ပြောကြားခဲ့သည်။
"ကျွန်ုပ်တို့သည် ပါဝါဒီဇိုင်နာများနှင့် စနစ်ဗိသုကာပညာရှင်များကို Navitas နှင့် ပူးပေါင်းလုပ်ဆောင်ရန် ဖိတ်ခေါ်ပြီး မြင့်မားသောထိရောက်မှု၊ ပါဝါသိပ်သည်းမှုမြင့်မားသော ဒီဇိုင်းများသည် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာစွာနှင့် ၎င်းတို့၏ AI ဆာဗာ အဆင့်မြှင့်တင်မှုများကို ရေရှည်တည်တံ့ခိုင်မြဲစွာ အရှိန်မြှင့်နိုင်ပုံကို ရှာဖွေတွေ့ရှိရန် ဖိတ်ခေါ်ပါသည်။"
စာတိုက်အချိန်- စက်တင်ဘာ-၁၃-၂၀၂၃